時勢造英雄

中美晶 (5483-TW) 入股砷化鎵代工廠宏捷科 (8086-TW)，成最大股東，中美晶董事長徐秀蘭表示，未來氮化鎵應用量非常大，雙方攜手合作後，將加速開發氮化鎵 (GaN) 產品進程，未來也將加入宏捷科董事會，後續也不排除繼續增持，甚至進一步取得控制權。

中美晶近年來積極佈局半導體材料產業，除矽晶圓外，在氮化鎵 (GaN) 晶圓方面已投入逾 7 年時間，碳化矽材料今年也邁入第 4 年，為加速化合物半導體材料發展進程，今年也與交大合作，成立化合物半導體研究中心。

由於宏捷科在砷化鎵晶圓代工領域擁有自主技術，營運體質穩健，近年也積極開發氮化鎵 (GaN) 產品，與環球晶致力研發的寬能隙晶圓材料，具有上下游材料供應互補綜效，雙方經過半年時間討論、相互了解，決定共同攜手佈局氮化鎵領域。

此次中美晶全數認購宏捷科私募現增 4500 萬股，共斥 34.965 億元，持股比重 22.53%，成為最大股東。

中美晶董事長徐秀蘭表示，宏捷科是化合物半導體材料客戶，在晶圓代工後段製程成熟度高，從砷化鎵到 GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵) 的製程轉換相對較快，中美晶可藉此獲得客戶回饋，提供符合需求的化合物半導體晶圓。

徐秀蘭指出，氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、電源、電動車等三大領域，未來應用量很大，許多客戶在催促晶圓研發進程，但磊晶方面較困難、成本也較高，未來隨著規模放大，成本自然會下降，預計近 2、3 年是氮化鎵相關材料逐步放量的轉捩點。

目前中美晶集團旗下佈局的化合物半導體晶圓，包括碳化矽 (SiC)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si(矽基氮化鎵)，碳化矽目前月產能近 2000 片，在取得認證中；GaN on SiC 製程難度較高，目前只做到 4 吋。

至於 GaN on Si 方面，6 吋產能已量產，徐秀蘭表示，內部分為兩組人馬，一組致力於 6 吋產能放量，一組則是積極研發 8 吋產能，許多客戶盼能直接提供 8 吋晶圓，但這是一大挑戰。